射頻同軸連接器的精密程度怎么樣

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射頻同軸連接器其主要標志是相繼研制出21mm、14mm、7mm和3.5mm精密同軸連接器和各種精密轉(zhuǎn)接器，工程用射頻同軸連接器的電壓駐波比性能也有顯著提高，掃頻測量取代了點頻測量，并且出現(xiàn)了時域測量技術。在國內(nèi)，隨著微波通信技術和測量方法的進步，分米波電視的發(fā)展，對連接器電壓駐波比的要求也越來越高，如要求研制工作在0～18GHz駐波比小于1.30的SMA連接器、0～18GHz駐波比小于1.40的連接器電纜組件、0～1GHz駐波比小于1.05的分米波連接器以及駐波比小于1.02的各種精密轉(zhuǎn)接器。研制工作到40GHz駐波比小于1.50的毫米波連接器也提到議事日程上，本研究的目的在于為研制寬頻帶低駐波比射頻同軸連接器提供設計依據(jù)。 射頻同軸連接器是無線電電子設備和儀表中必不可少甚至是關鍵的電子元件。電壓駐波比是射頻同軸連接器的一項極重要的電氣參數(shù)。 隨著科學技術的進步，對射頻同軸連接器電壓駐波比提出了越來越高的要求。許多連接器專家為此竭盡努力，取得了顯著的進展。到了七十年代中后期，介質(zhì)切割法是應用同軸傳輸線中，有絕緣支撐的介質(zhì)的有效介電常數(shù)與其體積比例有關，支撐段的截止頻率與等效介電常數(shù)成反比的特性[2]，減小介質(zhì)(固體介質(zhì))支撐的占空比例，可以獲得較小的等效介電常數(shù)值。從而達到拓寬工作頻率范圍的目的。同理，固體介質(zhì)絕緣支撐體積比例的改變，影響著支撐段的特性阻抗。 佳切割(設計)，可以使阻抗不連續(xù)部分變得平滑，得到補償頻帶耐高溫、耐輻照絕緣支撐的切割(設計) 耐高溫、耐輻照絕緣支撐，通常采用熔凝硅、康寧玻璃1723＃等材料，這類材料介電常數(shù)ε偏高(ε=3.78)。這將使支撐段的截止頻率變低。在保證有足夠機械強度的前提下，應盡量減少支撐材料。用介質(zhì)切割法設計支撐呈星形或輪輻形。截止頻率達到12GHz時，電壓駐波比＜1.3。 2. 寬帶絕緣支撐的切割(設計) 新開發(fā)的特性阻抗為75Ω的1.6/5.6系列同軸連接器，在反射系數(shù)r≤0.1時， 大工作頻率為1GHz。應用介質(zhì)切割法原理，“支撐”設計呈星形。在基本結(jié)構相同的情況，r≤0.1的條件下，頻率達到10GHz。支撐形狀見表1序號6所示。 3. 毫米波段絕緣支撐的切割(設計) 毫米波段的同軸連接器，截止頻率高達40GHz以上。“支撐”分界面上，反射盡可能小。全固體介質(zhì)支撐，不能滿足要求，應用介質(zhì)切割法， 佳切割(設計)絕緣支撐，能獲得理想的效果。帶耐高溫、耐輻照同軸連接器的絕緣支撐，用介質(zhì)切割法切割(設計)成星形或輪輻形支撐，將康寧玻璃類介質(zhì)的介電常數(shù)ε(等于3.78，變換成等效介電常數(shù)1.93計算值)。該值的降低，使支撐段的截止頻率達到12GHz，電壓駐波比S≤1.3。新開發(fā)的1.6/5.6系列寬帶同軸連接器的絕緣支撐，用介質(zhì)切割法切割(設計)，將 大工作頻率達1GHz，反射系數(shù)≤0.1的第二代產(chǎn)品，進而發(fā)展為 大工作頻率達10GHz，反射系數(shù)≤0.1的第三代產(chǎn)品。毫米波段K型連接器的研制，應用介質(zhì)切割法切割(設計)的輪轂形絕緣支撐，將SMA型同軸連接器的截止頻率由24GHz，提高到40GHz。直角同軸連接器，用介質(zhì)切割法切割(設計)彎角支撐，使彎角處阻抗變得平滑、連續(xù)，得到補償。

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